Накопитель SSD 2.5" 480GB Micron (CT480BX500SSD1)
БЫСТРАЯ ДОСТАВКА
В любой уголок Украины :
— Отделение Новая Почта - (по тарифам Новой Почты, от 35 грн)
— Курьер - (по тарифам Новой Почты)
— Другой перевозчик по договоренности с оператором
— New Доставка Уркпочтой от 15 грн
СУМЫ:
— Курьер - при заказе от 1000 грн. БЕСПЛАТНО! *
* Доставка крупногабаритных грузов - 100 грн.
ОФИЦИАЛЬНАЯ ГАРАНТИЯ
14 ДНЕЙ НА ОБМЕН
| Внутренние SSD | |
| Модель | 2.5 480GB |
| Артикул | CT480BX500SSD1 |
| Тип накопителя | внутренний |
| Объем памяти | 480 GB |
| Тип флеш-памяти | 3D TLC NAND |
| Форм-фактор | 2.5 |
| Типоразмер М2 | - |
| Интерфейс подключения | SATA III (6Gb/s) |
| Скорость чтения | 540 Mb/s |
| Скорость записи | 500 Mb/s |
| (Сборка) Потребляемая мощность | 6 Вт |
| Также ищут | SSD для ноутбука |
| Габариты | 100.45 x 69.85 x 7 мм |
| Серия | BX500 |
| Страна производства | США |
| Гарантия, мес | 36 |
Накопитель SSD 2.5" MICRON обеспечивает более быструю загрузку и работу приложений для пользователей. Мощный, энергоэффективный контроллер Silicon Motion SM2258XT в сочетании с передовыми чипами NAND flash памяти от компании Micron помогает сделать этот накопитель быстрым, энергоэффективным и доступным по цене продуктом.
Накопитель SSD 2.5" MICRON отражает многолетний опыт компании Micron в области хранения информации, позволяющий реализовать функционал и производительность в создании непревзойдённых возможностей при работе.
Накопитель SSD 2.5" MICRON изготовлен на базе высокоскоростной синхронной 16 нм памяти типа MLC NAND, которая обеспечит максимум производительности. Имея более чем 15-кратное превосходство в быстродействии над жёстким диском, этот накопитель позволит почти мгновенно загрузить операционную систему, за несколько секунд загрузить программы и ускорить работу требовательных приложений.
Компания Micron является одним из ведущих мировых провайдеров прогрессивных полупроводниковых решений. Действуя на глобальном уровне, компания производит и реализует на рынке широкий набор носителей памяти, выполненных по технологии DRAM, NAND Flash и NOR Flash, а также с использованием иных инновационных технологий.